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碲与红外光电子材料的优化

时间:2018-07-28  已阅读过:次

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     针对我国红外焦平面技术中核心光电子材料HgCdTe及其功能结构p-n结中难以精确控制的工艺条件,创新性地开展了材料芯片技术的研究,实现了材料芯片技术与红外物理基本机理的有机结合途径,并在国际上首次成功地应用到典型红外光电子材料-碲镉汞的功能结构制备工艺优化中,为我国的碲镉汞材料获得了第一个关于p-n结掺杂浓度和结深对结特性影响的数据库,获得了对碲镉汞材料p-n结成结工艺的优化参数,通过优化参数在器件工艺中的应用,使得碲镉汞红外探测器的核心参量R0A达到600W×cm2以上。做出了既有自主知识产权又可在我国工艺平台基础上实现HgCdTe红外焦平面器件性能优化的创新性工作。同时成功地将第一性原理计算方法应用到了碲镉汞材料中,从理论上阐明了汞空位主要缺陷对材料特性的影响,给出了能级位置,澄清了汞空位的形成机理。并进一步对碲镉汞的成键特性进行了系统研究,研究结果成功地解释了我国风云气象卫星中碲镉汞红外探测器的工作行为,基本结果已被相关职能部门采纳。

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